取向硅鋼的制備過(guò)程需要經(jīng)過(guò)冷變形加工和再結(jié)晶退火處理，大壓下率冷軋將使取向硅鋼內(nèi)部的位錯(cuò)密度升高，高位錯(cuò)密度所帶來(lái)的位錯(cuò)能儲(chǔ)存在變形基體內(nèi)，在后續(xù)的退火過(guò)程中鋼板內(nèi)部組織會(huì)發(fā)生根本的轉(zhuǎn)變，發(fā)生再結(jié)晶。冷軋的壓下率不同則位錯(cuò)密度不同，冷軋后儲(chǔ)存的位錯(cuò)能也會(huì)存在差異，從而對(duì)再結(jié)晶過(guò)程的驅(qū)動(dòng)作用也會(huì)不同。

　　科研工作者對(duì)無(wú)抑制劑取向硅鋼不同壓下率下初次再結(jié)晶退火后的顯微組織、宏觀(guān)織構(gòu)和微觀(guān)織構(gòu)進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，冷軋板織構(gòu)主要為α取向線(xiàn){001}＜110＞、{112}＜110＞和{111}＜110＞織構(gòu)以及γ取向線(xiàn){111}＜110＞織構(gòu)。初次再結(jié)晶退火后，α取向線(xiàn)織構(gòu)減弱，織構(gòu)主要為γ取向線(xiàn){111}＜112＞織構(gòu)。隨冷軋壓下率的增加，冷軋和初次再結(jié)晶織構(gòu)強(qiáng)度增加。當(dāng)壓下率為88%時(shí)，初次再結(jié)晶退火后Goss織構(gòu)和{111}＜112＞織構(gòu)強(qiáng)度最高，最有利于發(fā)生二次再結(jié)晶。

　　EBSD分析顯示，Goss取向晶粒大多與{111}＜112＞取向晶粒相鄰。提高冷軋壓下率，Goss取向晶粒和{111}＜112＞取向晶粒都增加，Goss取向晶粒偏離理想取向角度減少。